[뉴스투데이=전소영 기자] DB하이텍이 경쟁 우위 전력반도체 기술 기반 고부가·고성장 사업 확대에 본격적으로 시동을 걸었다.
DB하이텍은 27일 초고전압(UHV) 전력반도체 공정 기술을 업그레이드했다고 밝혔다.
해당 공정은 가전, 자동차, 통신, 산업 등 폭넓은 분야에서 모터를 구동하는 게이트 드라이버(Gate Driver) IC의 설계·제조를 지원한다.
전력반도체 IC 시장의 8% 정도를 차지하는 게이트 드라이버 IC 시장이 2022년부터 2027년까지 연평균 109% 성장한다는 전망과 함께 수요 대폭 확대가 기대된다.
DB하이텍은 경쟁 우위의 전력반도체 기술을 기반으로 고부가·고성장의 초고전압 전력반도체 사업을 확대해 경쟁력을 제고해 나갈 방침이다.
향후 DB하이텍은 게이트 드라이버 IC에서 레벨 시프터(Level-Shifter) 절연방식과 갈바닉(Galvanic) 절연방식을 동시에 사용 가능한 환경을 제공할 계획이다. 이를 통해 고객들은 칩 설계가 용이한 레벨 시프터와 고전압 동작에서 안정성이 높은 갈바닉 절연 각각의 장점을 부각할 수 있다. 공정의 활용도 기존의 가전 분야에서 자동차, 태양광 분야까지 넓어질 것으로 예측된다.
DB하이텍은 앞으로 실리콘 전력반도체에서 구현할 수 있는 전영역대에 대한 공정 기술을 확보해 응용분야별로 최적화된 게이트 드라이버 IC 설계 환경을 제공한다는 전략이다.
DB하이텍 관계자는 “구체적으로는 2024년 1월 게이트 드라이버 IC 시장에서 10%로 가장 큰 비중인 가전분야에 최적화된 600V급 공정을 제공한다”며 “연내 전동킥보드와 전기스쿠터용 200V급 공정과 방직기 및 공업용 1200V급 공정까지 순차적으로 확보해 초고전압 전력반도체 경쟁력을 강화해 나가겠다”고 말했다.
